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J-GLOBAL ID：201002273288441773   整理番号：10A0284822

高周波MOSFET構造の正確なオンウェーハ特性化のための新しい12項・解放短絡負荷分離法

A New 12-Term Open-Short-Load De-Embedding Method for Accurate On-Wafer Characterization of RF MOSFET Structures

著者 (4件)： TIEMEIJER Luuk F. (NXP-TSMC Res. Centre, Eindhoven, NLD) ,  PIJPER Ralf M. T. (NXP-TSMC Res. Centre, Eindhoven, NLD) ,  VAN STEENWIJK J. Anne (NXP RF Power and Basestations, Nijmegen, NLD) ,  VAN DER HEIJDEN Edwin (NXP-TSMC Res. Centre, Eindhoven, NLD)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 58  号： 2  ページ： 419-433  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波回路設計において必要なMOSFETデバイスモデルの作成と検証においては正確なオンウェーハSパラメータの測定が重要になる。そのためには,大きい測定パッドのもつフェムトファラッドの10分の1のオーダの高Qゲートの寄生容量をも分離し,較正の正確さを保証する必要がある。この分離過程は回路試験の設計における重要な留意点の1つになっている。ここでは,オンウェーハSパラメータ測定において解放短絡負荷分離を行う新しいアルゴリズムを提案した。従来の代表的なオンウェーハ高周波トランジスタ試験法では内部ポートの不完全な接地がポート間の漏話の重要な要因になっており,ここで提案する解放短絡負荷法は12項の誤差モデルを解く手法であり,最近の5個のダミーを必要とする一般的な15項手法と正確さは同等である。65nm及び45nmルールのMOSFETデバイスから得られた110GHzまでのSパラメータデータを用いて実験データとの比較を行った。

シソーラス用語： *回路試験 ,  *ウエハ【IC】 ,  *MOSFET ,  マイクロ波測定 ,  負荷遮断 ,  S行列
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  *オンウェーハ測定

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高周波 ,  MOSFET ,  特性化 ,  解放 ,  短絡 ,  分離法