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J-GLOBAL ID：201002273340559613   整理番号：10A0466620

横磁場下の薄型磁性ナノストライプにおける横方向磁壁運動

Motion of transverse domain walls in thin magnetic nanostripes under transverse magnetic fields

著者 (2件)： LU J. (Dep. of Physics, The Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear Water Bay, Hong Kong Special Administrative Region, CHN) ,  WANG X. R. (Dep. of Physics, The Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear Water Bay, Hong Kong Special Administrative Region, CHN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 8  ページ： 083915  発行年： 2010年04月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 横磁場(TMF)下の薄い磁性ナノストライプの横磁壁(TDW)運動について研究した。軸方向磁界が無い場合,任意方向のTMF下でのおおよその静的TDWプロファイルを求めた。このプロファイルは,TMFがストライプ面に平行か,または垂直のとき正確になった。非零軸方向磁界の下では,TDWは非対称でねじれ構造になった,そしてTDWは軸方向磁場の強さに依存して2つの伝搬モード,すなわち剛体モードと歳差モードによってワイヤ軸に平行に移動した。これら2つのモードを分離する臨界磁場強度を修正Walker限界H_W′と呼んだ。H_W′のTMF依存性,H_W′におけるTDW速度,および最大ねじれ角について数値的および解析的に検討した。さらに,初期に提案された速度対磁場の関係式は,HW′以上でのTDWの平均速度と良く一致することが明らかになった。これらの結果は,磁壁伝搬に基づく磁性ナノデバイスの今後の発展に重要であることを述べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *磁壁 ,  伝搬 ,  速度 ,  運動 ,  *ナノ構造 ,  モデリング ,  モード ,  磁場 ,  動力学 ,  *シミュレーション ,  数値解析 ,  エネルギー密度 ,  関数 ,  磁化 ,  方程式
準シソーラス用語： Landau-Lifshitz-Gilbert方程式 ,  *ナノストライプ ,  ナノ磁性体 ,  プロファイル ,  マイクロ磁気 ,  磁場誘起 ,  非線形

分類 (1件)： 磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 磁場 ,  薄型 ,  磁性 ,  ナノストライプ ,  横方向 ,  磁壁運動