文献

J-GLOBAL ID：201002273469355844   整理番号：10A0827736

Au-TiB_x-Al-Ti-n⁺-n-n⁺-GaN-Al₂O₃から成る系におけるOhm接触の電流機構に対するマイクロ波処理の効果

Effect of Microwave Treatment on Current Flow Mechanisms in Au-TiB_x-Al-Ti-n⁺-n-n⁺-GaN-Al₂O₃ Ohmic Contacts

著者 (10件)： BELYAEV A.E. (Lashkaryov Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci., Kiev, UKR) ,  BOLTOVETS N.S. (Orion Res. Inst., Kiev, UKR) ,  VITUSEVICH S.A. (Lashkaryov Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci., Kiev, UKR) ,  IVANOV V.N. (Orion Res. Inst., Kiev, UKR) ,  KONAKOVA R.V. (Lashkaryov Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci., Kiev, UKR) ,  KUDRYK Ya.Ya. (Lashkaryov Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci., Kiev, UKR) ,  LEBEDEV A.A. (Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS) ,  MILENIN V.V. (Lashkaryov Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci., Kiev, UKR) ,  SVESHNIKOV Yu.N. (Elma-Malachit Joint-Stock Co., Zelenograd, RUS) ,  SHEREMET V.N. (Lashkaryov Inst. Semiconductor Physics, National Acad. Sci., Kiev, UKR)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 6  ページ： 745-751  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記のOhm接触における接触抵抗率,ρ_c,の温度依存性と短時間のマイクロ波処理の効果について報告する。Ohm接触にマイクロ波を照射すると,ρ_cは測定した全温度域において幾分小さくなることが分かった。この効果は一般的なトンネル電流を伴う電荷輸送における温度場機構の特性である。ρ_c(T)の温度依存性に関する測定から,77~225Kの温度域における熱電場放出による通常の電荷輸送機構に加えて,275~380Kの温度域ではOhm接触に因るρ_c(T)の異常な増大が観測された。マイクロ波を照射すると,Gaの化学的活性度の大きい領域は仕事関数の小さいGaの化合物によって形成されるコンタクトに変換され,またコンタクト近傍におけるドナーの形成のために,荷電キャリアに関するトンネリング機構の誘起とρ_cの低下が促進されることが分かった。マイクロ波を1000秒間照射し,室温で9か月間保管すると,トンネル輸送が支配的になることが分かった。この場合,ρ_cの減少はウエハ全域に拡がり,金属-Gaの界面が均一であることを示唆している。

シソーラス用語： 金 ,  チタン化合物 ,  ホウ化物 ,  アルミニウム ,  チタン ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  N型半導体 ,  酸化アルミニウム ,  *半導体金属接合 ,  *Ohm接触 ,  接触抵抗 ,  温度依存性 ,  マイクロ波照射 ,  トンネル効果 ,  温度場 ,  仕事関数
準シソーラス用語： ホウ化チタン ,  接触抵抗率

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (8件)： Au ,  Al ,  Ti ,  GaN ,  Al2O3 ,  系 ,  Ohm接触 ,  マイクロ波処理