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J-GLOBAL ID：201002273663583300   整理番号：10A0392581

無電解Cuめっき触媒のためのカチオン界面活性剤と高分子電解質を用いたAgナノ粒子の吸着促進

Adsorption Promotion of Ag Nanoparticle Using Cationic Surfactants and Polyelectrolytes for Electroless Cu Plating Catalysts

著者 (6件)： FUJIWARA Yutaka (Osaka Municipal Technical Res. Inst., Osaka, JPN) ,  KOBAYASHI Yasuyuki (Osaka Municipal Technical Res. Inst., Osaka, JPN) ,  SUGAYA Takanori (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  KOISHIKAWA Atsushi (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  HOSHIYAMA Yasuhiro (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  MIYAKE Hidekazu (Kansai Univ., Osaka, JPN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 4  ページ： D211-D216  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エポキシ樹脂被覆ガラスまたはフッ素ドープ酸化スズ(FTO)被覆ガラスをAgナノ粒子を含むコロイド溶液に浸漬し,その表面にAgナノ粒子を吸着した。この吸着Agナノ粒子が銅の無電解めっきを触媒することを見いだした。Agナノ粒子が吸着する前に,両ガラス基板は四級アミン先端基を有するカチオン界面活性剤,ステアリルトリメチルアンモニウムクロリド(STAC),あるいはカチオン高分子電解質,ポリ(ジアリルジメチルアンモニウムクロリド)(PDDA),であらかじめ修飾した。これらの修飾ガラス基板に吸着したAgナノ粒子はHCHO酸化反応を触媒し,無電解Cuめっきの開始を促進した。Agナノ粒子の吸着量が最大になるのは,高濃度(四級アミン濃度で100×10^-3モルL^-1)のPDDA溶液で修飾したガラス基板を用いた場合で,そのとき,無電解Cuめっきの初期速度は最大になった。それより希薄な四級アミン濃度下では,エポキシ被覆ガラス基板に対してはSTAC,FTOガラス基板に対してはPDDA修飾がそれぞれCu無電解めっきにより有効であった。この違いはエポキシ基板とSTACの疎水性相互作用,FTO基板とPDDAの静電相互作用により説明できた。

シソーラス用語： ナノ粒子 ,  *無電解めっき ,  *銅めっき ,  *表面改質 ,  *吸着 ,  陽イオン界面活性剤 ,  高分子電解質 ,  ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド ,  *銀ナノ粒子

分類 (3件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  電気化学一般  (CB07010N) ,  無電解めっき  (WC08024S)

物質索引 (1件)： ステアリルトリメチルアンモニウムクロリド

タイトルに関連する用語 (8件)： 電解 ,  Cuめっき ,  触媒 ,  カチオン界面活性剤 ,  高分子電解質 ,  Agナノ粒子 ,  吸着 ,  促進