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J-GLOBAL ID：201002273754112840   整理番号：10A1126434

電界阻止設計によるIGBTの陽極側電流利得の温度依存性の最適化

Optimization of the temperature dependence of the anode-side current gain of IGBTs by field-stop design

著者 (3件)： VOSS S. (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU) ,  SCHULZE H.-J. (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU) ,  NIEDERNOSTHEIDE F.-J. (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 22nd  ページ： 213-216  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 陽極側電流利得(α_pnp)の温度依存性は,陽極側エミッターの効率(γ_E)と輸送係数により影響され,電力半導体素子の全電力損失の最小化に不可欠な基準である。シリコンのバンドギャップ中深準位のドーピング原子を含有した,電界阻止領域を用いることによる,その温度依存性を低減するための新方法を提案した。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の陽極側γ_Eとα_pnpへの浅準位または深準位ドナーを含有した電界阻止領域のドーピングの影響について調べた。深準位ドナーのドーピングは,浅準位ドーピングと比較して,ターンオフ損失の温度依存性の減小を生じた。低電流密度ほど,ターンオフ損失の温度依存性において浅準位と深準位ドーピング間の差異がより顕著であった。さらに,測定結果から,温度誘起ターンオフ損失(E_off)の増加は,IGBT厚さにより影響されないことを示した。室温と100°C以下の温度で,深準位ドナーを含有した電界阻止領域は,オン状態で部分的のみ活性化されるが,空間電荷領域により覆われた領域では完全に活性化されることがわかった。これにより,全電力損失をさらに低減する,飽和電圧(V_CEsat)と破壊電圧(V_br)間トレードオフの最適化を可能にした。

シソーラス用語： *温度依存性 ,  最適化 ,  *IGBT ,  *アノード ,  *利得 ,  *電気損失 ,  *ドーピング ,  *深い準位 ,  バンドギャップ ,  ケイ素 ,  スイッチング ,  電流密度 ,  *浅い準位 ,  ドナー
準シソーラス用語： 電流利得

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電界 ,  阻止 ,  設計 ,  IGBT ,  陽極 ,  電流利得 ,  温度依存性 ,  最適化