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J-GLOBAL ID：201002273771095789   整理番号：10A1617756

GaAsデバイスへの秩序化したメソポーラスシリカ膜の応用

The application of an ordered mesoporous silica film to a GaAs device

著者 (6件)： JUNG Sang-Bae (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  HA Tae-Jung (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Hyung-Ho (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Haechoen (Electronics and Telecommunications Res. Inst., Taejon, KOR) ,  SEO Won-Seon (Korea Inst. Ceramic Engineering and Technol., Seoul, KOR) ,  LIM Young Soo (Korea Inst. Ceramic Engineering and Technol., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Electroceramics  (Journal of Electroceramics)
巻： 25  号： 2/4  ページ： 140-144  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： W1123A  ISSN： 1385-3449  CODEN： JOELFJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 秩序化したメソポーラスシリカ膜とSi₃N₄膜から成るハイブリッド層を用い,GaAs-シュードモルフィック高電子移動度トランジスタ(PHEMT)への影響をSi₃N₄単層と比較した。構造指向剤を用いて秩序化したメソポーラスシリカ膜を作製した。ハイブリッド層はSi₃N₄20nm/SiO₂200nm/Si₃N₄50nm,Si₃N₄単層は270nmとした。PHEMTデバイスのゲート特性を調べた。ゲート電圧-トランスコンダクタンスからハイブリッド層のトランスコンダクタンスはSi₃N₄単層に比べて22.4%減少したが,カットオフ周波数の減少は僅か10%であった。

シソーラス用語： *HEMT ,  *窒化ケイ素 ,  多孔質体 ,  相互コンダクタンス ,  電圧 ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  *メソポーラスシリカ ,  PHEMT ,  ゲート電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  秩序化 ,  メソポーラス ,  シリカ膜 ,  応用