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J-GLOBAL ID：201002273798903917   整理番号：10A1054736

InGaN層の歪緩和の研究とInGaNの構造特性と光学的性質に及ぼすその影響

Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties

著者 (9件)： WANG H. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  JIANG D.s. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  JAHN U. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU) ,  ZHU J.j. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  ZHAO D.g. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  LIU Z.s. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  ZHANG S.m. (State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, P.O. Box 912 ...) ,  QIU Y.x. (Suzhou Inst. of Nanotech and Nanobionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China) ,  YANG H. (Suzhou Inst. of Nanotech and Nanobionics, Chinese Acad. of Sciences, Suzhou 215123, People’s Republic of China)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 405  号： 22  ページ： 4668-4672  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *緩和現象 ,  *半導体薄膜 ,  転位【結晶】 ,  MOCVD ,  薄膜成長 ,  X線回折 ,  *陰極線ルミネセンス
準シソーラス用語： *歪緩和

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  歪緩和 ,  研究 ,  構造特性 ,  光学的性質