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J-GLOBAL ID：201002273876306971   整理番号：10A0924601

多結晶シリコン太陽電池のモルフォロジー欠陥と電気的欠陥に関するSEAMとEBIC研究

SEAM and EBIC Studies of Morphological and Electrical Defects in Polycrystalline Silicon Solar Cells

著者 (8件)： MENG L. (National Univ. Singapore) ,  NAGALINGAM D. (National Univ. Singapore) ,  BHATIA C. S. (National Univ. Singapore) ,  BHATIA C. S. (Inst. Materials Res. and Engineering (IMRE), Singapore) ,  STREET A. G. (Qualcomm CDMA Technol., San Diego, USA) ,  STREET A. G. (Inscope Labs Pte. Ltd., Singapore) ,  PHANG J. C. H. (National Univ. Singapore) ,  PHANG J. C. H. (Inscope Labs Pte. Ltd., Singapore)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.1  ページ： 503-507  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶シリコン材料は,低コスト,高効率と大面積太陽電池の製造用有望候補である。走査型電子音響顕微鏡(SEAM)は,表層イメージング,深さプロファイリングと材料の特性評価用に用いるモルフォロジーイメージング方法であるが,非モルフォロジー電気欠陥には高感度でない。電子ビーム誘起電流(EBIC)は,太陽電池の再結合個所,ドーピング濃度不均一性と電気的不規則性を検出する電気的欠陥特性評価方法であるが,pn接合を必要とし,検出範囲が接合から数拡散長に限定される。SEAMとEBIC方法を組み合わせることにより,多結晶シリコン太陽電池のモルフォロジー欠陥と電気的欠陥を識別することに成功した。この両方法により,太陽電池の性能に異なる影響をする可能性がある,欠陥と結晶粒界に関する補足情報を得ることができた。この方法を用いて,欠陥の性質およびその太陽電池の品質と性能への効果をさらに調べることが可能である。

シソーラス用語： *音響顕微鏡 ,  *走査電子顕微鏡 ,  多結晶 ,  ケイ素 ,  *太陽電池 ,  格子欠陥 ,  *電子線誘起電流 ,  *欠陥検査 ,  電気故障
準シソーラス用語： SEAM ,  構造欠陥 ,  EBIC ,  電気的欠陥

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多結晶シリコン太陽電池 ,  モルフォロジー ,  欠陥 ,  EBIC ,  研究