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J-GLOBAL ID：201002274051926612   整理番号：10A0670260

低電力低電圧の高次曲率を補正した電圧基準

Low-power low-voltage superior-order curvature corrected voltage reference

著者 (1件)： POPA Cosmin (Univ. Politehnica of Bucharest, Bucharest, ROM)
資料名： International Journal of Electronics  (International Journal of Electronics)
巻： 97  号： 5/6  ページ： 613-622  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： C0287B  ISSN： 0020-7217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 対数曲率補正に対応できるCMOS(相補性金属酸化物半導体)電圧基準を提案した。VLSI設計において低電力消費と低電圧動作への要求が高まるとともに,温度変動に強く低電力消費で低電圧出力の電圧基準が求められている。本研究では,OVF(オフセット電圧フォロワ)ブロックをPTAT(絶対温度比例)電圧発生器として使用することにより一次補償を実現した。ADA(非対称差分増幅器)を使用した対数曲率補正技法を実装化し,一次補償電圧基準の出力に存在する対数的な温度依存項を補償した。回路の正確性を向上させるため,温度依存電流発生器を設計して,実施された曲率補正の厳密なタイプを計算した。従来,複雑性の高い電流発生器を要した回路正確性の向上を,相対的に複雑性の低い電流二乗器で可能にした。0.35μmCMOS技術で実装化した提案回路は,低電力消費,低電圧出力,および温度係数に関して良好な数値を示した。

シソーラス用語： *標準 ,  消費電力 ,  温度依存性 ,  対数 ,  *半導体 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 低電力 ,  *電圧標準

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低電力 ,  低電圧 ,  曲率