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J-GLOBAL ID:201002274072301108   整理番号:10A0700334

AlN/ZnOへテロ構造の成長機構と光ルミネセンス特性

Growth Mechanism and Photoluminescent Properties of AlN/ZnO Heterostructures
著者 (8件):
資料名:
巻: 114  号: 24  ページ: 10761-10767  発行年: 2010年06月24日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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著者等はAlN/ZnOへテロ構造を作製するために,エレクトロスピニング法による鋳型を利用する新しい方法を開発した。この方法は,(1)エレクトロスピニングによるポリビニルアルコールと酢酸亜鉛からのコンポジットナノファイバの作製→(2)マグネトロンスパッタリングによるコンポジットナノファイバへのAlN被覆→(3)窒素雰囲気中の700°C2h時間か焼という三段階プロセスからなっている。得られたヘテロ構造についてのキャラクタリゼーションをFESEM,TEM,微小角入射XRD,光ルミネッセンス測定により行った。その結果,(1)スパッタリング条件によりAlN層は,非晶質か多結晶になる。(2)AlN層が非晶質の場合は,AlNナノチューブ内面に多結晶ZnO層が成長した同軸へテロ構造のナノチューブ(AlN/ZnO CNH)が生成する。AlN層が多結晶の場合は,ZnO多結晶ナノ粒子がAlNナノチューブ内面に成長した構造(AlN/ZnO NP)が生成する,などが明らかになった。He-Cdレーザ励起下の光ルミネセンススペクトルには,AlN/ZnO CNH試料では紫外光が,AlN/ZnO NP試料ではブロードな可視光が弱い紫外光と共に観測された。成長機構及び発光機構についての考察もおこなった,
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分類 (3件):
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半導体のルミネセンス  ,  その他の無機化合物の薄膜  ,  固体デバイス材料 
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