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J-GLOBAL ID：201002274093036919   整理番号：10A0686460

TiドープZnOナノ粒子における活性表面欠陥の研究

Study of active surface defects in Ti doped ZnO nanoparticles

著者 (4件)： NAEEM M. (Dep. of Applied Physics, Federal Urdu Univ. of Arts, Sci. and Technol., Islamabad Campus, Islamabad, PAK) ,  QASEEM S. (Dep. of Applied Physics, Federal Urdu Univ. of Arts, Sci. and Technol., Islamabad Campus, Islamabad, PAK) ,  GUL I. H. (School of Chemical and Materials Engineering, National Univ. of Sci. and Technol., Islamabad, PAK) ,  MAQSOOD A. (School of Chemical and Materials Engineering, National Univ. of Sci. and Technol., Islamabad, PAK)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 12  ページ： 124303  発行年： 2010年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チタンをドープしたZnOノ粒子の電子構造及び光ルミネセンス特性に表面欠陥(酸素空格子点)が及ぼす効果を報告する。6から25nmの様々な大きさのナノ粒子はX線回折,透過型電子顕微鏡法,X線光電子分光法,及び光ルミネセンス(PL)スペクトルにより評価した。構造分析により,ZnOマトリックス中ではTiイオンはZnサイトを置換することを示した。粒子が小さくなると共に表面欠陥は系統的に増大する。これはRaman散乱測定の結果からも確かめられた。PLスペクトルの可視ピーク強度は,粒子サイズの全領域にわたって見かけ上非単調に増大した。可視強度の非単調プロフィルは2つの異なる機構によって説明できるようである。すなわち(i)小さいサイズの粒子では正孔捕獲トンネリング,(ii)大きいサイズの粒子では,2価の荷電酸素空格子点(V_O²⁺)を多量に含む表面空乏領域。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *チタン ,  ドーピング ,  ナノ粒子 ,  *空格子点 ,  *表面欠陥 ,  X線回折 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線光電子スペクトル ,  *光ルミネセンス ,  置換型原子 ,  スペクトル線強度 ,  キャリア捕獲 ,  トンネル効果

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ti ,  ドープ ,  ZnOナノ粒子 ,  活性 ,  表面欠陥 ,  研究