文献

J-GLOBAL ID：201002274119298488   整理番号：10A1073004

水銀(II)除去用に設計された収着UF膜の空孔率増進による透過フラックスの増加

Increase in permeate flux by porosity enhancement of a sorptive UF membrane designed for the removal of mercury(II)

著者 (4件)： BESSBOUSSE H. (UMR 6270 CNRS-Universite de Rouen, FR 3038, 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex, FRA) ,  BESSBOUSSE H. (Univ. Hassan I^er, FST de Settat, BP 577, Settat, MAR) ,  VERCHERE J.-f. (UMR 6270 CNRS-Universite de Rouen, FR 3038, 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex, FRA) ,  LEBRUN L. (UMR 6270 CNRS-Universite de Rouen, FR 3038, 76821 Mont-Saint-Aignan Cedex, FRA)
資料名： Journal of Membrane Science  (Journal of Membrane Science)
巻： 364  号： 1-2  ページ： 167-176  発行年： 2010年11月15日 
JST資料番号： E0669A  ISSN： 0376-7388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリ(ビニルアルコール)/ポリ(4-ビニルピリジン)(PVA/P₄VP)ろ過膜の空孔率を増進する為に二つの方法で改質して透過流を改善した。含浸法ではシリカ粒子を添加し,次にアルカリ性媒体中で溶解により除去した。2番目の方法はアセトン中の相転換でこれは非対称性膜を生成した。両方の膜に於ける細孔の生成をSEM映像と水透過流測定で検証した。非改質,シリカ改質,及び相転換膜の水透過流はそれぞれ0.5,18及び11cm³/hであった。前ろ過(E=98-100%)に於けるHgイオンの除去率は全ての膜がHg(II)保持の高い効率を持つことを示した。吸着容量は,PVA/P₄VP(シリカ):656mg/g>PVA/P₄VP(非変性):460mg/g>PVA/P₄VP(相転換):251mg/gであった。理論値764mg/gとの比較ではシリカ含浸による空孔率増進が膜中の殆どの錯体サイトへのアクセスビリティの増進を明らかにした。吸着等温線はLangmuir形に従い,水銀が錯体化メカニズムにより吸着されたことを示した。ろ過流の増加はこれらの膜を汚染水の低圧ろ過に使用する可能性を与えた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *水銀化合物 ,  除去 ,  *プロセス設計 ,  *収着 ,  *限外濾過 ,  *選択透過膜 ,  *空隙率 ,  透過率 ,  *透過流束 ,  膜透過 ,  ポリビニルアルコール ,  P4VP ,  改質 ,  含浸 ,  添加剤 ,  溶解 ,  相転移 ,  非対称性 ,  吸着 ,  錯体生成 ,  *廃水処理 ,  脂肪族ケトン ,  二酸化ケイ素
準シソーラス用語： シリカ ,  ポリ-4-ビニルピリジン

分類 (2件)： 膜分離  (XD02120Z) ,  その他の高分子材料  (YH07150C)

物質索引 (1件)： アセトン

タイトルに関連する用語 (6件)： 水銀 ,  設計 ,  収着 ,  UF膜 ,  空孔率 ,  透過フラックス