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J-GLOBAL ID：201002274173401570   整理番号：10A0924837

大面積MOS構造におけるブレイクダウンスポット空間分布の解析

Analysis of the Breakdown Spots Spatial Distribution in Large Area MOS Structures

著者 (3件)： MIRANDA E. (Univ. Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP) ,  O’CONNOR E. (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL) ,  HURLEY P.K. (Univ. Coll. Cork, Cork, IRL)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.2  ページ： 775-777  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積MOS構造における多発ブレイクダウンスポット空間分布について調べた。画像処理とパターン解析技術により,ブレイクダウンスポットの位置は空間的に相関がないとするPoissonプロセスの直接的な証拠を得た。誘電体層のウィーク領域ばかりでなく,スポット間の相関(斥力または引力)を調べるために,有効な数学的ツールをどのように使うべきかを示した。この方法を大きなサンプル集合に適用して標準的な信頼性評価技術を補足することができる。

シソーラス用語： *絶縁破壊 ,  電圧 ,  空間分布 ,  *故障点標定 ,  故障解析 ,  *MOS構造 ,  画像処理 ,  パターン分類 ,  Poisson分布 ,  故障診断 ,  統計的推定 ,  誘電体 ,  絶縁耐力
準シソーラス用語： 降伏電圧 ,  大面積

分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 大面積 ,  MOS構造 ,  空間分布 ,  解析