文献

J-GLOBAL ID：201002274184065032   整理番号：10A1085832

電熱作動を用いたCMOS-MEMS可変キャパシター

CMOS-MEMS Variable Capacitors Using Electrothermal Actuation

著者 (3件)： REINKE John (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  FEDDER Gary K. (Carnegie Mellon Univ., PA, USA) ,  MUKHERJEE Tamal (Carnegie Mellon Univ., PA, USA)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 19  号： 5  ページ： 1105-1115  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 微小電子機械システム(MEMS)キャパシターは,高周波(RF)で再構成可能性と高性能の独特な組合せを提供する。ポストCMOS作製プロセスを用いて,CMOSとモノリシック集積化した,MEMS可変キャパシターについて述べた。この可変キャパシターは,横ギャップ調整用に電熱作動を用い,電力消費なしで異なる値に容量を保持するため,機械的ラッチを用いた。CMOS-MEMSプロセスの範囲内で,MEMS可変キャパシターの限界について調べた。最大容量に相当する1GHzで95の性質係数(Q)と11GHzの電気的自己共振周波数ともに,最大6.9:1のチューニング比を測定した。このキャパシターは,作動のため15mWと3V以下を用いて,30msで再構成できた。そのラッチ容量値は,公称値の1%以内に再現可能であり,最高65°Cの周囲温度で安定を保った。信頼性試験から,そのキャパシターは,数100万サイクル可能であり,ラッチ容量値は,最大40gの加速度印加後,安定を維持することを示した。基本的に,CMOSとモノリシック集積化し,CMOS適合電圧を用いて制御した可変キャパシターを創製することに成功した。しかし,数問題,特に低容量密度,ラッチ位置の制限と最大容量の大変動,がこの可変キャパシターの実用化を制限した。これらの問題の解決のため,将来世代のCMOS-MEMS可変キャパシターの設計を牽引するだろう。

シソーラス用語： CMOS構造 ,  *MEMS ,  *可変コンデンサ ,  可能性 ,  再構成 ,  *半導体集積回路 ,  電気加熱 ,  電力消費 ,  静電容量 ,  信頼性試験 ,  *アクチュエータ ,  可変容量ダイオード ,  等価回路 ,  温度分布
準シソーラス用語： 再構成可能性 ,  バラクタ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電熱 ,  CMOS ,  MEMS ,  可変キャパシター