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J-GLOBAL ID：201002274184922083   整理番号：10A0708024

エテンの水素化におけるモデル半導体担持白金触媒のTPRx,その場GISAXSおよびGIXASを組み合わせた研究

Combined TPRx, in situ GISAXS and GIXAS studies of model semiconductor-supported platinum catalysts in the hydrogenation of ethene

著者 (12件)： WYRZGOL Sonja A. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  SCHAEFER Susanne (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  LEE Sungsik (Argonne National Lab., IL, USA) ,  LEE Byeongdu (Argonne National Lab., IL, USA) ,  DI VECE Marcel (Yale Univ., CT, USA) ,  LI Xuebing (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  SEIFERT Soenke (Argonne National Lab., IL, USA) ,  WINANS Randall E. (Argonne National Lab., IL, USA) ,  STUTZMANN Martin (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  LERCHER Johannes A. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  VAJDA Stefan (Argonne National Lab., IL, USA) ,  VAJDA Stefan (Yale Univ., CT, USA)
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 12  号： 21  ページ： 5585-5595  発行年： 2010年06月07日 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エテンの水素化におけるGaN担持Pt触媒の合成,キャラクタリゼーションおよび触媒反応性について,温度プログラム反応(TPRx)とその場すれすれ入射小角X線散乱(GISAXS)およびX線吸収分光(GIXAS)を組み合わせることにより試料の処理および触媒反応の際の材料特性のその場キャラクタリゼーションの利用に焦点を当て,提示した。触媒は高温においても,還元および水素化反応の際にも焼結抵抗性をもつことがわかった。7nm直径をもつPt粒子とは対照的に,1.8nmのサイズの小さな粒子は反応環境の変化に対してその形状と酸化状態を劇的に適合させることが見出された。またこれらの小さなPt粒子は,エテンの水素化において初期の不活性化を示し,粒子形状の変化が並行して起こる。1.8nmサイズのPt粒子のX線吸収の敏感な温度依存性は,Pt粒子とGaN担体との間のSchottky障壁をとおした電子トンネリングによる還元状態によって誘起される電子状態の微妙な変化を追跡できることを示唆する。

シソーラス用語： *水素化 ,  *窒化ガリウム ,  *担持触媒 ,  *白金触媒 ,  TPR【触媒】 ,  すれすれ入射 ,  小角X線散乱 ,  X線吸収スペクトル ,  アルケン
準シソーラス用語： 温度プログラム還元

分類 (3件)： 貴金属触媒  (CB06122I) ,  酸化,還元  (CF02060T) ,  X線スペクトル一般  (BM08101P)

物質索引 (1件)： エテン

タイトルに関連する用語 (7件)： エテン ,  水素化 ,  モデル ,  担持 ,  白金触媒 ,  GISAXS ,  研究