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J-GLOBAL ID:201002274194484718   整理番号:10A0315875

有機材料のTOF-SIMSデプスプロファイリングにおけるC60イオンの入射角依存性

著者 (4件):
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巻: 16  号:ページ: A.102  発行年: 2010年03月15日 
JST資料番号: L3852A  ISSN: 1341-1756  CODEN: JSANFX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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飛行時間二次イオン質量分析法(TOF-SIMS)によりポリカーボネート,ポリスチレンおよびIrganox多層膜についてC60イオンの照射角度依存性を調べた。ポリカーボネートとポリスチレンでは入射角76°の条件で一定のスパッター速度が得られ,数百nmスパッター後の表面スペクトルは最表面の化学情報を保持していた。48°の条件では約150nmの深さに達すると,スパッターは進行しなくなった。また,Irgnanox多層膜においても,ポリカーボネートおよびポリスチレンと同様に,76°で良好な深さプロファイルが得られ,しかも入射角76°でのIrganox3114の深さプロファイルから算出した層幅も48°条件でのそれおり数倍狭かった。結果は,入射角76°の条件で差異表面の化学情報を保持した良好な深さプロファイルが得られることを示した。
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