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J-GLOBAL ID：201002274359053091   整理番号：10A0704046

128°Y-X LiNbO₃基板上の(B,Al)N膜の表面音響波デバイス性質

Surface acoustic wave device properties of (B, Al)N films on 128°Y-X LiNbO₃ substrate

著者 (6件)： SONG Jen-hao (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Cheng-Kung Univ., Tainan 701, Taiwan) ,  HUANG Jow-lay (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Cheng-Kung Univ., Tainan 701, Taiwan) ,  WU Sean (Dep. of Electronics Engineering and Computer Sci., Tung-Fang Inst. of Technol., Kaohsiung 829, Taiwan) ,  WANG Sheng-chang (Dep. of Mechanical Engineering, Southern Taiwan Univ., Tainan, Taiwan) ,  RUAN Jian-long (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Cheng-Kung Univ., Tainan 701, Taiwan) ,  LII Ding-fwu (Dep. of Electrical Engineering, Cheng Shiu Univ., Kaohsiung 833, Taiwan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 23  ページ： 7156-7159  発行年： 2010年09月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大きな電気機械的結合係数(k²)そして高い表面音響波(SAW)速度性質を示す,128°Y-Xニオブ酸リチウム(LiNbO₃)SAWデバイス上のc軸配向窒化アルミニウム(AlN)膜が将来の通信応用のために必要である。本研究では,SAWデバイス性質をさらに高める0ために共スパッタリングシステムにより128°Y-X LiNbO₃基板上にc軸配向(B,Al)N膜(2.5at%ほう素を含む)を堆積した。XRDおよびTEM結果は,(B,Al)N膜が基板に垂直なc軸をもつ高度に整列した柱をもつことを示した。128°Y-X LiNbO₃基板上の(B,Al)N膜の硬度およびYoung率はAlN膜よりもそれぞれ少なくとも17%そして7%大きかった。SAWデバイス測定によると,128°Y-X LiNbO₃上の(B,Al)N膜の動作周波数特性はその上の純粋なAlNよりも高かった。(B,Al)N膜の厚さが増大する(固定したIDT波長で)につれてSAW速度も増大した。さらに,128°Y-X LiNbO₃ SAWデバイス上の(B,Al)N のk²はその上のAlNよりも高い値を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ニオブ酸リチウム ,  弾性表面波 ,  *弾性表面波素子 ,  *結合係数 ,  *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  *スパッタ蒸着 ,  *窒化物 ,  ホウ素化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  *蒸着膜 ,  音速
準シソーラス用語： *電気機械結合係数 ,  表面音響波 ,  共スパッタリング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： Al ,  表面音響波デバイス ,  性質