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J-GLOBAL ID：201002274359375331   整理番号：10A0776371

カーボンナノチューブを基本とするネットワークトランジスタにおけるAl₂O₃のゲート誘電体形成のための温度による電荷変換効果

Charge conversion effects of carbon nanotube network transistors by temperature for Al₂O₃ gate dielectric formation

著者 (6件)： KIM Un Jeong (Frontier Res. Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin 449-712, KOR) ,  SON Hyung Bin (Frontier Res. Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin 449-712, KOR) ,  LEE Eun Hong (Frontier Res. Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin 449-712, KOR) ,  KIM Jong Min (Frontier Res. Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin 449-712, KOR) ,  MIN Shin Chul (Dep. of Electronic Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR) ,  PARK Wanjun (Dep. of Electronic Engineering, Hanyang Univ., Seoul 133-791, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 3  ページ： 032117  発行年： 2010年07月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,ゲート誘電体の形成に関する熱的な寄与によって誘導される単層カーボンナノチューブのランダムネットワークを持つ電界効果トランジスタにおける電気的特性の観測結果を報告する。Al₂O₃のゲート誘電体に関して,堆積温度だけが電気極性をp型からn型に徐々に変化させる要因であることが分かった。Al₂O₃層からナノチューブ表面への電子移動とチューブの壁に吸着した酸素分子による電子捕獲の間の競合が,堆積温度に依存する輸送に関して重要であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ネットワーク ,  *単層カーボンナノチューブ ,  *トランジスタ ,  ゲート【半導体】 ,  酸化アルミニウム ,  誘電体薄膜 ,  吸着 ,  酸素 ,  キャリア捕獲 ,  基板温度 ,  電流電圧特性 ,  Rutherford後方散乱 ,  化学蒸着
準シソーラス用語： ネットワーク網 ,  ランダムネットワーク ,  バックゲート ,  原子層堆積

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： カーボンナノチューブ ,  トランジスタ ,  Al2O3 ,  ゲート誘電体 ,  電荷