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J-GLOBAL ID：201002274412700347   整理番号：10A0978261

組込みフラッシュ素子のFIB回路エデイットにおけるしきい値電圧シフト

Threshold Voltage Shift in FIB Circuit Edit of Embedded Flash Device

著者 (6件)： YEOH Joon Chai (Spansion (Penang) Sdn. Bhd. Phase II, Penang, MYS) ,  CHONG KC (Spansion (Penang) Sdn. Bhd. Phase II, Penang, MYS) ,  KHAIRIZAM A. R. (Spansion (Penang) Sdn. Bhd. Phase II, Penang, MYS) ,  SIM Mei-Mei I. (Spansion (Penang) Sdn. Bhd. Phase II, Penang, MYS) ,  LEE Meng Chuan (Spansion (Penang) Sdn. Bhd. Phase II, Penang, MYS) ,  LI Susan (Spansion Inc., CA, USA)
資料名： Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits  (Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻： 17th  ページ： 20-23  発行年： 2010年 
JST資料番号： W1259A  ISSN： 1946-1542  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フラッシュ素子は,配線の集束イオンビーム(FIB)修正前に前書込みされる。フラッシュ素子のしきい値電圧(V_t)シフトへのFIB回路エデイット(修正)効果について解明した。XeF₂エッチングガスの使用有無に関係なく,前書込みしたフラッシュダイのFIBミル加工中,最小のV_tシフトを観測した。しかし,有機金属化合物ガスの使用により,個別の標準ビーム設定条件を用いた場合,FIB誘起白金堆積試料では,前書込みフラッシュ素子のV_tの大シフトを生じるが,FIB誘起タングステン堆積試料では小シフトを生じることを示した。それにもかかわらず,白金とタングステン堆積プロセスに同一のビーム設定を用いた場合,FIB誘起白金堆積試料で大V_tシフトをまだ観測した。FIB誘起白金堆積は,400mVの最大V_tシフトのタングステン堆積より非常に大きい,800mVの最大V_tシフトを生じた。以上の結果から,フラッシュ素子の配線のFIB回路エデイット中,金属配線の堆積用に白金堆積の代わりにFIB誘起タングステン堆積を用いる必要があることを示した。これにより,前書込みフラッシュ素子の素子完全性の劣化を最小にする助けとなった。

シソーラス用語： 電圧 ,  *集束イオンビーム ,  *イオンエッチング ,  フッ化キセノン ,  気体 ,  *蒸着 ,  白金 ,  タングステン ,  埋込み【挿入】 ,  *フラッシュメモリ ,  配線 ,  *剥離 ,  不動態皮膜 ,  有機金属化合物 ,  *故障解析 ,  デバッギング
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  エッチングガス

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 組込み ,  フラッシュ ,  FIB ,  しきい値電圧シフト