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J-GLOBAL ID：201002274619192864   整理番号：10A0083979

誘電体の表面修飾による溶液加工有機薄膜トランジスタの電場効果移動度の増強

Enhancement of the field-effect mobility of solution processed organic thin film transistors by surface modification of the dielectric

著者 (5件)： JIANG Lin (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Illinois, 810 S. Clinton St., Chicago, IL 60607, USA) ,  ZHANG Jie (Printovate Inc., Palatine, IL 60196, USA) ,  GAMOTA Daniel (Printovate Inc., Palatine, IL 60196, USA) ,  TAKOUDIS Christos G. (Dep. of Chemical Engineering, Univ. of Illinois, 810 S. Clinton St., Chicago, IL 60607, USA) ,  TAKOUDIS Christos G. (Dep. of Bioengineering, Univ. of Illinois, 851 S. Morgan St., Room 218 Sci. and Engineering Offices(SEO), Chicago ...)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 11  号： 2  ページ： 344-350  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機半導体の結晶生成と分子秩序化は有機薄膜トランジスタ(OTFT)の電気性能に著しく影響を及ぼした。自己集合機構によって誘起した分子秩序化は数桁の大きさでキャリア移動度を改良できる。ここでは,誘電体表面に半導体秩序化を促進する優先化学官能基を得るため誘電体表面を修飾した。ゲート電極として重p型ドープケイ素ウエハ及び誘電体として熱成長SiO₂を用い,OTFTを作製した。誘電体表面を修飾するため有機シラン,(3-メルカプトプロピル)トリエトキシシランとp-トリルトリメトキシシランを用いた。半導体層として有機半導体ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセンを溶液流延成形した。修飾した誘電体表面を特性化するためX線光電子分光法を使用した。原子間力顕微鏡からの解析はシラン処理誘電体表面の半導体層における改良した秩序化を指示した。電気特性化は誘電体表面修飾でもって二桁の大きさほど電場効果キャリア移動度が増強されたことを示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  結晶化 ,  規則化 ,  キャリア移動度 ,  酸化膜 ,  酸化ケイ素 ,  誘電体薄膜 ,  ウエハ【IC】 ,  P型半導体 ,  *表面改質 ,  表面処理 ,  シランカップリング剤 ,  半導体薄膜 ,  *流延成形 ,  ポリアセン ,  X線光電子スペクトル ,  X線光電子分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  電場効果 ,  自己集合 ,  電気特性 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ケイ素ウエハ ,  ゲート電極 ,  ゲート誘電体 ,  シラン処理 ,  結晶生成 ,  秩序化 ,  熱成長酸化膜 ,  表面修飾 ,  有機薄膜トランジスタ ,  ペンタセン誘導体 ,  電気性能

分類 (2件)： 三環以上の炭素橋かけ多環化合物  (CF06110B) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (3件)： 3-メルカプトプロピルトリエトキシシラン ,  p-トリルトリメトキシシラン ,  6,13-ビス[(トリイソプロピルシリル)エチニル]ペンタセン

タイトルに関連する用語 (7件)： 誘電体 ,  表面修飾 ,  溶液 ,  有機薄膜トランジスタ ,  電場効果 ,  移動度 ,  増強