ポリチオフェン薄膜における調製法,形態秩序性,および電荷-キャリアの相互関係  スピンキャスト,ドロップキャスト,およびインクジェット印刷膜の比較

WONG Loke-Yuen; PNG Rui-Qi; SILVA F. B. Shanjeera; CHUA Lay-Lay; REPAKA D. V. Maheswar; SHI-CHEN; GAO Xing-Yu; KE Lin; CHUA Soo-Jin; WEE Andrew T. S.; HO Peter K. H.

文献

J-GLOBAL ID：201002274703459957 整理番号：10A1063670

ポリチオフェン薄膜における調製法,形態秩序性,および電荷-キャリアの相互関係スピンキャスト,ドロップキャスト,およびインクジェット印刷膜の比較

Interplay of Processing, Morphological Order, and Charge-Carrier Mobility in Polythiophene Thin Films Deposited by Different Methods: Comparison of Spin-Cast, Drop-Cast, and Inkjet-Printed Films

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資料名：
巻： 26 号： 19 ページ： 15494-15507 発行年： 2010年10月05日
JST資料番号： A0231B ISSN： 0743-7463 CODEN： LANGD5 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

位置規則性を持つポリ3-ヘキシルチオフェン(rrP3HT)薄膜の形態および高分子鎖配向の,膜厚さ方向に沿った変動を研究した。クロロベンゼン溶液のスピンキャスト(sc)により堆積したrrP3HT膜の,上端および下端間の光学誘電(n,k)スペクトルを調べた。スペクトルは,可変角分光偏光解析から自己無撞着漸近的光学モデルを用いて求めた。その結果,上端および下端間でスペクトルの著しい差異を示すことが分かった。上端面は赤方偏移した吸収を示し,上端面以下よりも良好な秩序性を示した。この差異は,ドロップキャスト(dc)および多重パスインクジェット印刷(ijp)膜では減少し,アモルファス膜では消失した。(n,k)スペクトルから結晶度はsc<dc<ijpの順で増大することが確認された。また光学異方性はsc<dc<ijpの順で減少した。更にX線吸収端近傍微細構造からは,ijpおよびdc膜中の境界鎖はより等方的に配向することが示された。これらの結果は,半結晶性共役高分子膜は平衡から大きく外れた状態になり得ることを示唆している。特に,ijp法により誘起される膜の著しい変動は,電極アレイ上に堆積したijp膜で測定される低い電界効果移動度のためと考えられる。この著しい結晶性はピコリットル液滴の不均一乾燥によると思われ,多重パスijp膜の膨潤-脱膨潤サイクルにより更に促進されると考えられる。

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コロイド化学一般 , 高分子固体の構造と形態学

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ポリチオフェン薄膜における調製法,形態秩序性,および電荷-キャリアの相互関係 スピンキャスト,ドロップキャスト,およびインクジェット印刷膜の比較

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