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J-GLOBAL ID：201002274781507437   整理番号：10A1528652

機械的に変形した交差カーボンナノチューブ接合の局所ゲート効果

Local Gate Effect of Mechanically Deformed Crossed Carbon Nanotube Junction

著者 (5件)： QING Quan (Harvard Univ., Massachusetts, USA) ,  NEZICH Daniel A. (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  KONG Jing (Massachusetts Inst. of Technol., Massachusetts, USA) ,  WU Zhongyun (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  LIU Zhongfan (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 11  ページ： 4715-4720  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ(CNT)は高性能電界効果トランジスタ(FET)と相互接続の有望なビルディングブロックとして過去十年間,広く研究されてきた。特に,交差ナノチューブ構造がスケーラブルナノエレクトロニクスのボトムアップ手法として提案されている。本研究では,交差CNT接合の局所変形が周囲環境下で大きな局所ゲート効果を導入可能で,原子間力顕微鏡(AFM)操作によって調整できることを初めて示した。そのような効果は,大きなソース-ドレイン電圧を加えることにより,また接合部を閾圧力以上の圧力で押すことによってそれぞれ可逆的に消去,回復することができる。ゲート効果が変形接合にある局在電荷に関係づけられ,電荷数は10²と10³の範囲にあると推定されることを提示した。

シソーラス用語： 変形 ,  *カーボンナノチューブ ,  *接合 ,  局所性 ,  *効果 ,  FET【トランジスタ】 ,  相互接続 ,  原子間力顕微鏡 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  電圧 ,  圧力
準シソーラス用語： *ゲート効果 ,  ナノエレクトロニクス ,  ビルディングブロック ,  交差結合 ,  高性能

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (3件)： 交差 ,  カーボンナノチューブ ,  ゲート効果