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J-GLOBAL ID：201002275003680071   整理番号：10A0589669

歪みと縦配位子効果による吸着調整

Tuning Adsorption via Strain and Vertical Ligand Effects

著者 (3件)： HOSTER Harry E. (Ulm Univ., Ulm, DEU) ,  ALVES Otavio B. (Ulm Univ., Ulm, DEU) ,  KOPER Marc T. M. (Leiden Univ., Leiden, NLD)
資料名： ChemPhysChem  (ChemPhysChem)
巻： 11  号： 7  ページ： 1518-1524  発行年： 2010年05月17日 
JST資料番号： W1265A  ISSN： 1439-4235  CODEN： CPCHFT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt(111)と1.1~3.5ML Pt_X-ML/Ru(0001)フィルムの走査型電子顕微鏡イメージとサイクリックボルタモグラムを測定して,これらのフィルムの構造および電気化学的吸着特性を研究した。Ru(0001)上で熱平衡化しているPt多分子層は第二原子層が形成された後にStranski-Krastanov成長モードを示している。この層は少なくとも5つの原子層の厚さまで擬似形態をとり,構造的に似ているPt(111)表面に対して外側の格子による圧縮の影響を受けやすい。下層のRu(0001)基板による垂直格子の効果も合わせて,この圧縮はPt(111)上よりH_adの吸着を弱めて,第一の単分子層に吸着は最も弱くなった。単一基準表面の実験結果を固定点として考慮すると,密度汎関数理論(DFT)計算によって非常に精度の高いボルタンメトリック析出ポテンシャル以下で吸着した水素(upd-H_ad)の吸着エネルギーを求めることができた。H_adの吸着エネルギーは直接upd-H_ad範囲の位置に反映されている。いくつかの平面モデル構造に関するH_ad吸着エネルギーのDFT計算値とそれに適応する表面の定量STM分析値を結合して,ボルタンメトリックプロフィルをシミュレートした。

シソーラス用語： *白金電極 ,  ファセット ,  ルテニウム ,  蒸着 ,  *白金 ,  薄膜 ,  *多分子層 ,  *表面構造 ,  *水素電極 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  水素 ,  吸着 ,  アンダポテンシャル電着 ,  密度汎関数法 ,  吸着熱 ,  計算機シミュレーション

分類 (2件)： 電極過程  (CB07040U) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 歪み ,  縦 ,  配位子効果 ,  吸着