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J-GLOBAL ID:201002275008885887   整理番号:10A0610804

シリコンナノホールを用いた高性能太陽電池

High-Performance Silicon Nanohole Solar Cells
著者 (5件):
資料名:
巻: 132  号: 20  ページ: 6872-6873  発行年: 2010年05月26日 
JST資料番号: C0254A  ISSN: 0002-7863  CODEN: JACSAT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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シリコンウエハを用いた太陽電池の光起電力特性の向上について,Siウエハ表面にナノホール(NH)を形成させる方式に着目し,試作デバイスの性能評価などにより検討した。p-Si(100)ウエハの上面に紫外光リソグラフィーとHF-H2O2水溶液エッチングの両操作で表面に垂直な円筒状NHの二次元配列を形成させ,NHの壁面と底面にリンをドーピング成分として熱拡散させて二次元的で半径方向にp-n接合を設けた場合,この「SiNH」を用いた光起電力デバイスは高い光電変換効率を示す(出力変換効率:9.5%;AM1.5光照射)。Siナノワイヤなどを用いた他のp-n接合方式との利点を比較し,NH型Siウエハを用いる方式の特徴を明らかにした。
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分類 (2件):
分類
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無機化合物一般及び元素  ,  太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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