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J-GLOBAL ID：201002275032381628   整理番号：10A0288029

ホットキャリア性能劣化効果を含むナノスケール完全空乏二重ゲートMOSFETの解析的解析

Analytical analysis of nanoscale fully depleted Double-Gate MOSFETs including the hot-carrier degradation effects

著者 (2件)： GHOGGALI Z. (Univ. Batna, DZA) ,  DJEFFAL F. (Univ. Batna, DZA)
資料名： International Journal of Electronics  (International Journal of Electronics)
巻： 97  号： 1/2  ページ： 119-127  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： C0287B  ISSN： 0020-7217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールDG(二重ゲート)MOSFETにおけるホットキャリア効果によるデバイスの性能劣化について研究した。ナノスケール半導体技術において,ホットキャリアに誘導された電荷が信頼性にとって大きな関心事になっている。従来のバルクMOSFETについては多くの先行研究があるが,本稿では32nmITRSノードと適合するDG-MOSFETについて研究し,表面電位,閾値電圧およびDIBL(ドレイン誘導障壁低下)に対するホットキャリア性能劣化効果について検討した。新しいデバイスモデルの活用により,チャネル長が短くなり,最小電位位置がホットキャリア誘導局所境界面電荷密度に影響されると性能劣化がひどくなることが分かった。DIBL効果は,40nm未満のチャネル長においてホットキャリア効果が存在する場合に著しくなる。デバイスパラメータの広い範囲において,解析モデルと2次元シミュレーションの結果は近い一致を示した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ホットキャリア ,  半導体 ,  Poisson方程式 ,  短チャネル効果 ,  CMOS
準シソーラス用語： マルチゲートMOSFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホットキャリア ,  性能劣化 ,  ナノスケール ,  二重ゲート ,  MOSFET ,  解析