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J-GLOBAL ID:201002275092174257   整理番号:10A1087011

磁気量子化されたグラフェン状態の実空間マッピング

Real-space mapping of magnetically quantized graphene states
著者 (8件):
資料名:
巻:号: 10  ページ: 811-817  発行年: 2010年10月 
JST資料番号: W2060A  ISSN: 1745-2473  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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エネルギー,磁場および2次元における空間位置の関数としてグラフェンの4重縮退Landau準位(LL0)を調べた。低圧誘導炉における水素エッチ4H-SiC(0001)の熱分解によるエピタキシャル成長によりグラフェンを調製した。電気的に分離された多重層エピタキシャルグラフェン上の局所状態密度8LDOS)を測定するために低温走査トンネル分光法を用いた。多重層エピタキシャルグラフェンの最上部層を研究した。最上部層では層から層への回転が連続するグラフェンシート間の結合を低減させ,単層グラフェンの電気的性質を生じさせる。本研究のデータにおいて精密な原子的局所状態密度(LDOS)は直接決定されないが,LL0ピークエネルギーの2モード分布はAおよびB炭素格子上の異なるLDOSを明確に示唆している。グラフェンのゼロLandau準位における谷間縮退の局所的解除を実験により証明したが,これは輸送現象に重要な意味をもっている。
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分類 (1件):
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半導体結晶の電子構造 
タイトルに関連する用語 (5件):
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