断面バリスティック電子放出顕微鏡による,個々のIn<sub>0.4</sub>Ga<sub>0.6</sub>As量子ドットを取り囲む濡れ層の量子閉じ込め伝導帯エネルギーの測定

MARGINEAN C.; PELZ J. P.; LEHMAN S. Y.; CEDERBERG J. G.

文献

J-GLOBAL ID：201002275123825200 整理番号：10A0913351

断面バリスティック電子放出顕微鏡による,個々のIn_0.4Ga_0.6As量子ドットを取り囲む濡れ層の量子閉じ込め伝導帯エネルギーの測定

Measurements of the quantum-confined conduction band energy in the wetting layer surrounding individual In_0.4Ga_0.6As quantum dots by cross-sectional ballistic electron emission microscopy

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資料名：
巻： 82 号： 3 ページ： 035304.1-035304.7 発行年： 2010年07月
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体結晶の電子構造 , 半導体薄膜

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断面バリスティック電子放出顕微鏡による,個々のIn0.4Ga0.6As量子ドットを取り囲む濡れ層の量子閉じ込め伝導帯エネルギーの測定

断面バリスティック電子放出顕微鏡による,個々のIn_0.4Ga_0.6As量子ドットを取り囲む濡れ層の量子閉じ込め伝導帯エネルギーの測定