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J-GLOBAL ID：201002275174363147   整理番号：10A0465824

300nm以上のドメインサイズをもつ4H-SiC(0001)上の高品質モノグラフェン

著者 (8件)： 服部梓 (大阪大 大学院) ,  岡本武志 (大阪大 大学院) ,  定国峻 (大阪大 大学院) ,  村田順二 (大阪大 大学院) ,  有馬健太 (大阪大 大学院) ,  佐野泰久 (大阪大 大学院) ,  遠藤勝義 (大阪大 大学院) ,  山内和人 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.18P-TE-12  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *結晶粒径 ,  *炭化ケイ素 ,  *単分子層 ,  *グラファイト ,  *化学研磨 ,  加熱 ,  超高真空 ,  結晶成長 ,  Ramanスペクトル ,  X線光電子スペクトル ,  *グラフェン ,  化学機械研磨 ,  低速電子顕微鏡 ,  *機械工作
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  化学機械平坦化 ,  超構造

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドメインサイズ ,  4H-SiC ,  高品質 ,  グラフェン