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J-GLOBAL ID：201002275210554892   整理番号：10A0827253

誘導結合プラズマ化学気相成長により生成した焼きなましSiOC膜の特性

Study on Characteristic Properties of Annealed SiOC Film Prepared by Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition

著者 (2件)： OH Teresa (Cheongju Univ., Cheongju, KOR) ,  KIM Chy Hyung (Cheongju Univ., Cheongju, KOR)
資料名： IEEE Transactions on Plasma Science  (IEEE Transactions on Plasma Science)
巻： 38  号： 7  ページ： 1598-1602  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： D0036B  ISSN： 0093-3813  CODEN： ITPSBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LSI回路用にSiO₂に替わる低誘電率材料が研究されている。メチルトリメトキシシランを原料ガスとし,RF誘導結合プラズマCVDでSiOC誘電体薄膜を成長させた。Al/SiOC薄膜/p-Si基板構造を用い,誘電率をC-V測定で求めた。Fourier変換赤外分光ピークシフトは,Si-O-C結合構造を反映している。Si-O-Si結合ピーク強度の増大にともない,誘電率,厚さ,粗さは硬度と弾性率の増加とともに低下する。しかし炭素含有比が5%以下に低下すると,生成膜の分極が低下し,表面平滑度が増加する。分極が低下すると,誘電率は低下し,硬度は上昇し,厚さは低下する。薄膜中のナノ空洞形成との関連で特性を考察する。

シソーラス用語： *誘電材料 ,  *プラズマCVD ,  薄膜成長 ,  誘電率 ,  LSI【IC】 ,  RF放電 ,  誘導結合プラズマ ,  Fourier変換赤外分光分析
準シソーラス用語： SiOC誘電体

分類 (1件)： プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 誘導結合プラズマ ,  化学気相成長 ,  焼きなまし