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J-GLOBAL ID：201002275370432343   整理番号：10A0605530

紫外処理をした場合としない場合の導電性高分子/酸化インジウムすず界面でのバンドの曲がり

Band bending at the conducting polymer/indium tin oxide interfaces with and without ultraviolet treatment

著者 (4件)： LIN Yow-jon (Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  CHIN Yi-min (Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  LIN Jung-chung (Inst. of Photonics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan) ,  SU Yu-chao (Dep. of Physics, National Changhua Univ. of Education, Changhua 500, Taiwan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 256  号： 21  ページ： 6259-6261  発行年： 2010年08月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ポリ(4-スチレンスルホン酸塩)をドープしたポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/酸化インジウムすず(PEDOT:PSS/ITO)界面でのバンドの曲がりに対する紫外処理の効果を研究した。筆者らは,ITO表面での炭素汚染の除去およびPEDOT:PSS/ITO界面でのトラップ状態数の減少のために紫外処理がPEDOT:PSS/ITO界面でのバンドの曲がりを低減させうることを示唆した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ポリエチレンジオキシチオフェン ,  *ドーピング ,  ポリスチレンスルホン酸 ,  *酸化インジウムスズ ,  *ヘテロ接合 ,  *バンド構造 ,  紫外線照射 ,  浄化 ,  エネルギー準位 ,  *高分子半導体
準シソーラス用語： PEDOT ,  PSS【高分子】 ,  清浄化 ,  捕獲準位

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 導電性高分子 ,  酸化インジウムすず ,  界面 ,  バンド ,  曲がり