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J-GLOBAL ID：201002275417454774   整理番号：10A0772344

AlGaN/GaNに基づくHEMTと,ゲート誘電体としてのAl₂O₃を持つMIS-HEMTに関する比較研究

A comparative study on AlGaN/GaN based HEMT and MIS-HEMT with Al₂O₃ as gate dielectric

著者 (4件)： FREEDSMAN Joseph J (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  WATANABE Arata (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SELVARAJ Lawrence (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA Takashi (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 110(SDM2010 49-123)  ページ： 245-248  発行年： 2010年06月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNに基づくHEMTの動作を制限している重要な問題は,高電力および低ノイズアプリケーションにとって望ましくない高いゲート漏れにある。このゲート漏れを克服するためには,MIS-HEMTに関する研究が必要となる。ここでは,デバイスプロセスと互換性を持っているAlGaN/GaNに基づくMIS-HEMTのための誘電体としてのAl₂O₃形成のためのシンプルな人工的経路を示した。酸素環境で15分間の間,600度Cで酸化アニーリング技法を用いて10nmアルミニウム層の酸化を行った。HEMTおよびMIS-HEMTのデバイス特徴について調べた。HEMTおよびMIS-HEMTに対する2Vのゲートバイアスで観測されたI_dMAXはそれぞれ593および425mA/mmであった。HEMTおよびMIS-HEMTのために計測されたG_mMAXは124および121mS/mmであった。HEMTと比較して,MIS-HEMTに対しては,ゲート漏れが3桁削減された。両者のデバイスに対して3つの端末オフ状態ブレークダウン計測を行った。MIS-HEMTに対する3桁のゲート漏れの抑止により,絶縁破壊電圧(BV)の増大が生じた。HEMTおよびMIS-HEMTに対するBVはそれぞれ170および207Vであった。さらに,誘電体界面および半導体界面の界面品質は現在調査中である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  *半導体プロセス ,  経路 ,  焼なまし ,  酸化 ,  半導体素子 ,  ゲート【半導体】 ,  電圧 ,  *絶縁破壊
準シソーラス用語： AlGaN ,  GaN ,  ブレークダウン電圧 ,  酸化アニーリング ,  絶縁破壊電圧 ,  半導体デバイス

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  絶縁材料  (NA04030W)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  ゲート誘電体 ,  Al2O3 ,  MIS ,  研究