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J-GLOBAL ID：201002275506873381   整理番号：10A0235721

単結晶NiMnSbの合成と特性評価

Synthesis and Characterization of Single Crystal NiMnSb

著者 (6件)： WANG Fangfang (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  FUKUHARA Tadashi (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  MAEZAWA Kunihiko (Toyama Prefectural Univ., Toyama, JPN) ,  NISHIMURA Katsuhiko (Univ. Toyama, Toyama, JPN) ,  SHIMIZU Fumihiko (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  MASUBUCHI Shinichi (Tokyo Medical Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 2,Issue 1  ページ： 025502.1-025502.4  発行年： 2010年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質のNiMnSb単結晶を作製する試みを報告する。単結晶の出発物質として用いた高品質の多結晶を,化学量論的名目組成から調製した。封入したMoルツボを用いるBridgman法により大きな単結晶を成長させた。超高真空(約10^-10Torr)下のアニーリングにより単結晶の品質を改良した。生成した単結晶は異常を示さないで,室温以下で輸送性質の磁気転移を示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 単結晶 ,  アンチモン化物 ,  *マンガン化合物 ,  *ニッケル化合物 ,  *Bridgman法 ,  *熱処理 ,  磁気転移 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 真空熱処理

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (17件)：

• K. Endo: J. Phys. Soc. Jpn.29(1970)643.
• R. A. de Groot, F. M. Mueller, P. G. van Engen, and K. H. J. Buschow: Phys. Rev. Lett.50(1983)2024.
• G. L. Bona, F. Meier, M. Taborelli, E. Bucher, and P. H. Schmidt: Solid State Commun.56(1985)391.
• W. Zhu, B. Sinkovic, E. Vescovo, C. Tanaka, and J. S. Moodera: Phys. Rev. B 64(2001)060403.
• M. Donath, G. Rangelov, J. Braun, and W. Grentz: in Lecture Notes in Physics, ed. M. Donath and W. Nolting (Springer, Heidelberg, 2005) Vol.678, p. 261.

タイトルに関連する用語 (2件)： 単結晶 ,  特性評価