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J-GLOBAL ID：201002275554349228   整理番号：10A0796694

カーボンナノチューブ/Si界面における熱伝導の原子論的シミュレーション

Atomistic Simulations of Heat Transfer at Carbon Nanotube/Si Interfaces

著者 (3件)： CAO Ajing (Northwestern Univ., IL, USA) ,  QU Jianmin (Northwestern Univ., IL, USA) ,  YAO Matthew (Rockwell Collins Inc., USA)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 60th Vol.1  ページ： 417-420  発行年： 2010年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 将来のデバイス性能に対する制限因子は熱的管理であり,本稿ではカーボンナノチューブ(CNT)/Si界面近傍における基本的なフォノン伝導メカニズムに関して分子的動的シミュレーションを行った。シミュレーションモデルは2.3Å間隙の2つのSiスラブ(5.43x5.43x5.43nm³)間にCNTを配置したもの(Si-CNT-Si)である。界面における熱コンダクタンスGkはCNT長により増大するが,これは多くのフォノンモードが長いCNT内に存在することによる。又,1200Kまで温度上昇によりGkは増加(CNT自身の熱伝導率は減少)するが,これは高温で界面におけるフォノン伝送の不調和による。

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  *ケイ素 ,  *界面 ,  *熱伝導 ,  計算機シミュレーション ,  シミュレーションモデル
準シソーラス用語： *原子論的シミュレーション

分類 (1件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L)

タイトルに関連する用語 (5件)： カーボンナノチューブ ,  Si ,  界面 ,  熱伝導 ,  原子論的シミュレーション