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J-GLOBAL ID：201002275596148338   整理番号：10A0776363

InGaN/GaNを基本とする発光ダイオードにおける圧電分極によって誘起される発光効率の低下に関する数値解析

Numerical analysis of efficiency droop induced by piezoelectric polarization in InGaN/GaN light-emitting diodes

著者 (2件)： SON Jun Ho (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Div. of Advanced Materials Sci., Pohang Univ. of Sci. and Technol. (POSTECH) ...) ,  LEE Jong-lam (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Div. of Advanced Materials Sci., Pohang Univ. of Sci. and Technol. (POSTECH) ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 3  ページ： 032109  発行年： 2010年07月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaNを基本とする発光ダイオード(LED)における発光効率の低下に対する圧電分極の効果を数値計算を用いて研究した。シミュレーションによる結果から,圧電分極が低下するとInGaNの量子井戸における大きなバンドの曲がりが改善され,電子と正孔の波動関数の重なりが改善されることが分かった。結果として,内部量子効率が増大し,発光効率の低下は可成り抑制されることが判明した。圧電分極の低下はGaNのエピタキシャル層に生じた圧縮応力を緩和させるための引っ張り応力を加えることによって誘導されることが分かった。縦型構造を持つLEDの発光効率の低下の改善は,シミュレーションによる結果と良く一致することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *発光ダイオード ,  *エレクトロルミネセンス ,  圧電気 ,  誘電分極 ,  放射効率 ,  数値計算 ,  波動関数 ,  量子効率 ,  圧縮応力 ,  引張応力 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： InGaN ,  GaN ,  発光ダイオード ,  圧電 ,  分極 ,  誘起 ,  発光効率 ,  数値解析