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J-GLOBAL ID：201002275642948921   整理番号：10A0898174

半導体量子ドットにおける圧電応答の衝撃的電荷局在化による制御

Controlling Piezoelectric Response in Semiconductor Quantum Dots via Impulsive Charge Localization

著者 (6件)： TYAGI Pooja (McGill Univ., Quebec, CAN) ,  COONEY Ryan R. (McGill Univ., Quebec, CAN) ,  SEWALL Samuel L. (McGill Univ., Quebec, CAN) ,  SAGAR D. M. (McGill Univ., Quebec, CAN) ,  SAARI Jonathan I. (McGill Univ., Quebec, CAN) ,  KAMBHAMPATI Patanjali (McGill Univ., Quebec, CAN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 10  号： 8  ページ： 3062-3067  発行年： 2010年08月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セレン化カドミウム量子ドット(1.6nm)のコロイド懸濁液のコヒーレント音響フォノンのフェムト秒吸収スペクトルによる直接観測に基づき電子-フォノン相互作用を検討した。低い照射強度の40fsレーザパルスによる1S量子状態への励起により音響フォノンをコヒーレント発生させる。ウルツ型CdSeの本来の圧電性に比べて少なくとも1桁高い圧電応答が観測された。3種の表面状態(光前処理,無処理,キャップ安定化)の比較から,直接光励起,衝撃加熱,固有の圧電性が原因ではないことを確かめた。振動衝撃時間スケールにおける量子ドット表面の正孔捕獲による電荷局在化が原因と推定した。

シソーラス用語： *セレン化カドミウム ,  *量子ドット ,  レーザパルス ,  *パルスレーザ照射 ,  過渡吸収スペクトル ,  懸濁液 ,  コロイド ,  フェムト秒 ,  コヒーレント生成 ,  励起子-フォノン相互作用 ,  時間依存性 ,  表面準位 ,  キャリア捕獲 ,  正孔 ,  電荷分布 ,  *圧電半導体 ,  電子正孔対
準シソーラス用語： *圧電特性 ,  局在化 ,  表面状態

分類 (3件)： ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半導体量子ドット ,  圧電応答 ,  衝撃 ,  電荷 ,  局在化