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J-GLOBAL ID：201002275664769486   整理番号：10A0346659

高組成仮想基板のための逆傾斜SiGe/Ge/Siバッファ

Reverse graded SiGe/Ge/Si buffers for high-composition virtual substrates

著者 (4件)： SHAH V. A. (Dep. of Physics, The Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR) ,  DOBBIE A. (Dep. of Physics, The Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR) ,  MYRONOV M. (Dep. of Physics, The Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR) ,  LEADLEY D. R. (Dep. of Physics, The Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 6  ページ： 064304  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 減圧CVD法で成長させた,逆線形傾斜シリコン・ゲルマニウム仮想基板の組成傾斜率の効果を研究した。総厚み2.4μmのSi(001)/Ge/RLG/Si_0.22Ge_0.78バッファのために完全リラックスしたSi_0.22Ge_0.78層のトップ中のスレッディング転位密度(TDD)は4×10⁶cm^-2であり,表面粗さは3nmであった。傾斜率を減らしたより厚いバッファで3×10⁶cm^-2の低いTDDと2nmの表面粗さを達成した。逆傾斜Si_0.22Ge_0.78仮想基板の特性は,より薄い高品質の高Ge組成SiGe仮想基板に導く従来のバッファ・テクニックに相当するか,上回ることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *基板 ,  ケイ素合金 ,  ゲルマニウム合金 ,  バッファ層 ,  傾斜 ,  組成 ,  貫通転位 ,  密度 ,  表面粗さ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 組成 ,  仮想 ,  SiGe ,  Ge ,  Si ,  バッファ