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J-GLOBAL ID：201002275697150120   整理番号：10A0556530

マイクロマシン変調MgO磁気トンネル接合センサの製造

FABRICATION OF MICROMECHANICALLY-MODULATED MGO MAGNETIC TUNNEL JUNCTION SENSORS

著者 (4件)： JARAMILLO Gerardo (Univ. California, Davis, USA) ,  CHAN Mei Lin (Univ. California, Davis, USA) ,  GUEDES Andre (Univ. California, Davis, USA) ,  HORSLEY David A. (Univ. California, Davis, USA)
資料名： Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems  (Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems)
巻： 23rd Vol.2  ページ： 667-670  発行年： 2010年 
JST資料番号： W0377A  ISSN： 1084-6999  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MTJはハードディスクドライブ,MRAMや低磁気センサなどに広く使われているが,低周波数領域の雑音低減が課題になっている。本稿では,MTJのSN比改善について検討した。MEMS構造を用いて10kHz以上でMTJによる検出信号を変調し,動作周波数を高周波数領域へ移すことによりSN比を改善させる設計をした。SOIウエハ上にリソグラフィー技術でMTJセンシング部を作製し,続いてアクチュエータ部をMEMS技術で作製して,MTJ-MEMSセンサを試作した。本センサのMR変換特性や雑音特性などを測定評価した。この結果により,本センサ構造を用いて機械的変調による高周波数変換が可能であることを示した。本手法の欠点は変調効率が0.0019%と低いことであった。

シソーラス用語： *マイクロマシン ,  *酸化マグネシウム ,  トンネル接合 ,  *磁気センサ ,  駆動機構 ,  アクチュエータ ,  MRAM ,  SN比 ,  MEMS ,  雑音低減 ,  HF【周波数】 ,  ウエハ【IC】 ,  リソグラフィー ,  雑音特性
準シソーラス用語： MgO ,  MTJ ,  ハードディスクドライブ ,  リソグラフィー技術 ,  高周波数 ,  *磁気トンネル接合

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： マイクロマシン ,  変調 ,  MgO ,  磁気トンネル接合