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J-GLOBAL ID：201002275702119946   整理番号：10A0969755

直接トンネルレジームにおいて動作するGeナノ結晶記憶構造における電子と正孔の保持時間に影響する効果

Effects influencing electron and hole retention times in Ge nanocrystal memory structures operating in the direct tunneling regime

著者 (4件)： PEIBST R. (Inst. of Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, 30167 Hannover, DEU) ,  ERENBURG M. (Inst. of Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, 30167 Hannover, DEU) ,  BUGIEL E. (Inst. of Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, 30167 Hannover, DEU) ,  HOFMANN K. R. (Inst. of Electronic Materials and Devices, Leibniz Universitaet Hannover, 30167 Hannover, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 5  ページ： 054316  発行年： 2010年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属/酸化物/半導体トランジスタのSiO₂に埋込んだGeナノ結晶(NC)の直接トンネルレジームにおける電子と正孔の充放電プロセスの実験研究を示した。具体的目的は,高速不揮発性メモリに利用できる薄い(直接)トンネル障壁をもつSiO₂に埋込んだGe NCの非常に長い正孔保持時間の理論予測を確認することであった。理論予測より長い電子保持時間を観察する一方,予測した長い正孔保持時間は実験的に見られなかった。この結果と理論予測間の不一致を説明するために,実際のGe-NC:SiO₂/Si系の非理想特性を研究した。特に,トンネル酸化物中の体積捕獲密度のGe NC作製誘起増加と,トンネル酸化物とSi基板間の界面の捕獲密度の増加を検出した。しかし,(Ge NCのない参考試料に比べて)約一桁の捕獲密度のこの適度な増加は,観察した短い正孔保持時間のもっともらしい説明を提供しない。むしろ,正孔保持の間のNC中の電子電流は,保持時間を制限するようである。この影響はすでに理想的Ge-NC:SiO₂/Si系に起こっており,従って直接トンネルレジームにおいて動作するGe NCベース素子の不揮発性記憶応用を妨げている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *結晶構造 ,  *ゲルマニウム ,  ナノ結晶 ,  *記憶構造 ,  *電子 ,  *正孔 ,  *保持時間 ,  MOSFET ,  二酸化ケイ素 ,  埋込み【挿入】 ,  電気特性 ,  不揮発性メモリ ,  ポテンシャル障壁 ,  ケイ素 ,  キャリア捕獲 ,  密度 ,  基板 ,  界面
準シソーラス用語： *トンネル構造 ,  トンネル障壁 ,  充放電特性 ,  電子電流

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (7件)： トンネル ,  Ge ,  ナノ結晶 ,  記憶構造 ,  電子 ,  正孔 ,  保持時間