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J-GLOBAL ID：201002275803994295   整理番号：10A1539500

ナノスケールでの音響:薄いSOI層からのRaman-Brillouin散乱

Acoustics at nanoscale: Raman-Brillouin scattering from thin silicon-on-insulator layers

著者 (4件)： LOU N. (CEMES, CNRS, BP 94347, F-31055 Toulouse Cedex 4, FRA) ,  GROENEN J. (CEMES, CNRS, BP 94347, F-31055 Toulouse Cedex 4, FRA) ,  BENASSAYAG G. (CEMES, CNRS, BP 94347, F-31055 Toulouse Cedex 4, FRA) ,  ZWICK A. (CEMES, CNRS, BP 94347, F-31055 Toulouse Cedex 4, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 14  ページ： 141908  発行年： 2010年10月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄い単一シリコン層からのRaman-Brillouin散乱が報告されている。33nmのSOI構造から出発して,次第に厚みが減少する連続層を酸化物をサイクル的にはがしたり・形成したりする化学的処理により調製した。これらの厚みを決定するために,実験的に得られたRaman-Brillouinスペクトルを光弾性モデルの枠内で行われた計算と比較した。シリコン層の厚みのサブナノメートルの変化をスペクトル応答を適切に解析することにより検出できることを実証した。化学処理の間に1nm厚さの酸化物が形成されることを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *SOI構造 ,  *化成処理 ,  *Ramanスペクトル ,  *Brillouin散乱 ,  膜厚 ,  酸化物

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノスケール ,  音響 ,  SOI ,  Brillouin散乱