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J-GLOBAL ID：201002275853470807   整理番号：10A0005674

平面と横配置での極紫外域単結晶ダイヤモンドSchottky光ダイオード

Extreme UV single crystal diamond Schottky photodiode in planar and transverse configuration

著者 (9件)： ALMAVIVA S. (Dip. di Ing. Meccanica, Universita di Roma “Tor Vergata”, Roma, ITA) ,  MARINELLI Marco (Dip. di Ing. Meccanica, Universita di Roma “Tor Vergata”, Roma, ITA) ,  MILANI E. (Dip. di Ing. Meccanica, Universita di Roma “Tor Vergata”, Roma, ITA) ,  PRESTOPINO G. (Dip. di Ing. Meccanica, Universita di Roma “Tor Vergata”, Roma, ITA) ,  TUCCIARONE A. (Dip. di Ing. Meccanica, Universita di Roma “Tor Vergata”, Roma, ITA) ,  VERONA C. (Dip. di Ing. Meccanica, Universita di Roma “Tor Vergata”, Roma, ITA) ,  VERONA-RINATI G. (Dip. di Ing. Meccanica, Universita di Roma “Tor Vergata”, Roma, ITA) ,  ANGELONE M. (Associazione EURATOM-ENEA sulla Fusione, Frascati, Roma, ITA) ,  PILLON M. (Associazione EURATOM-ENEA sulla Fusione, Frascati, Roma, ITA)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 19  号： 1  ページ： 78-82  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,ローマの”Tor Vergata”大学で開発され,異なった接合構成を持つ金属/本質型/p-型ダイヤモンド接合に基づく2種の極紫外(EUV)光起電力単結晶ダイヤモンドSchottkyダイオードの性能の研究に関して報告する。一つのデバイスは本質的ダイヤモンド層の表面に蒸着した半透明金属接合による横配置で作動するが,一方,2つ目のデバイスは本質的ダイヤモンド層の成長表面の連絡構造による平面構成で作動する。両方のデバイスは,電極-ダイヤモンド界面から生ずる組み込みの電圧を使用して無バイアスモードで作動できて,約10⁸の整流比を持つ優れた整流特性を示す。He-NeDCガス放電放射源とトロイダル格子真空モノクロメータを使用することによって,5Å波長分解能でEUVのスペクトル領域でこれらのデバイスを特性化した。非常に良好なSN比やデバイス応答の再現性,持続的光電導性と望ましくないポンピング効果の欠如は,紫外域用途のためのこれらのCVDダイヤモンドの高い品質を示唆する。応答度と共に外部量子効率(EQE)を20~120nmのスペクトル域で測定して,提案した2の異なる構成について反対挙動が観察された。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *ダイヤモンド ,  ドーパント ,  半導体接合 ,  極端紫外線 ,  機能素子 ,  電流電圧特性 ,  整流 ,  光伝導素子 ,  光電効果 ,  量子効率

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 極紫外 ,  単結晶ダイヤモンド ,  光ダイオード