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J-GLOBAL ID：201002275912042334   整理番号：10A1141679

Pd/SiO₂/Si整流接合と水素の相互作用

Hydrogen interaction with Pd/SiO₂/Si rectifying junction

著者 (5件)： ZHAO Ming (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8577, JPN) ,  NAGATA Shinji (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8577, JPN) ,  YAMAMOTO Shunya (Quantun Beam Sci. Directorate, Japan Atomic Energy Agency, 1233 Watanuki, Takasaki, Gunma 370-1292, JPN) ,  YOSHIKAWA Masahito (Quantun Beam Sci. Directorate, Japan Atomic Energy Agency, 1233 Watanuki, Takasaki, Gunma 370-1292, JPN) ,  SHIKAMA Tatsuo (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8577, JPN)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 175  号： 3  ページ： 223-228  発行年： 2010年12月15日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,水素とPd/SiO₂/Si構造との相互作用を調べた.パラジウム(Pd)膜(2nm厚以下のPdナノ粒子で構成)をn型Siとサファイヤ基板にマグネトロンスパッタで堆積した。Pd/SiO₂/Si構造の表面抵抗が,室温水素露出時に1.4s以内で20倍以上に増大した。Pd/SiO₂/SiとPd/Al₂O₃とPd/Al₂O₃の表面I-V特性の比較結果から,界面層のキャリア密度の減少には,Pd/SiO₂/Siにおける表面抵抗率変化が主に寄与していることが分かった。Pd/SiO₂/SiとPd/Siの表面I-V特性の結果を比較して,界面層が整流接合の反転層(p型)であることが分かった。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *整流 ,  *接合 ,  *パラジウム ,  *二酸化ケイ素 ,  *ケイ素 ,  基板 ,  サファイア ,  *スパッタ蒸着 ,  表面抵抗 ,  *電流電圧特性 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： 整流接合

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Pd ,  SiO2 ,  Si ,  整流 ,  水素 ,  相互作用