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J-GLOBAL ID:201002275976351551   整理番号:10A1528913

近赤外過渡吸収分光法を用いて調べたCdSe量子ドットにおける第一励起子状態の電荷担体分解緩和

Charge Carrier Resolved Relaxation of the First Excitonic State in CdSe Quantum Dots Probed with Near-Infrared Transient Absorption Spectroscopy
著者 (4件):
資料名:
巻: 114  号: 45  ページ: 14514-14520  発行年: 2010年11月18日 
JST資料番号: W0921A  ISSN: 1520-6106  CODEN: JPCBFK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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直径4.1nmを有するCdSe量子ドット(QD)の第一(1Sc1S3/2)励起子状態(すなわち,QDのHOMOからQDのLUMO)へ光励起したコロイドCdSe QDの近赤外(NIR,900~1300nm)過渡吸収(TA)の大域回帰分析を記述した。NIR TA分光法はNIRにおける信号が光励起電子と正孔の吸収に独占的であるので,QDの励起子減衰の電荷担体分解解析を促進した。これが可能なのは可視TAスペクトルをこみあい状態にする光学バンドギャップを横切って吸収を誘起するにはこの領域におけるプローブエネルギーが十分高くないことを意味する。正孔捕獲配位子(1-オクタンチオール)と電子受容配位子(1,4-ベンゾキノン)の存在に対する励起子減衰の各々観測した成分の応答及び可視TAスペクトル中の基底状態漂白特性の回復に対する励起子減衰の時定数比較は1.6ps正孔捕獲過程,19psと274ps表面仲介電子捕獲過程及び~5nsの未捕獲電子の再結合へ成分の割付を可能にする。
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分類 (2件):
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無機化合物一般及び元素  ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル 

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