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J-GLOBAL ID：201002276083765974   整理番号：10A0343626

抵抗分布と読取擾乱耐性を改善した高いスケーラビリティの酸化ハフニウムメモリ

Highly Scalable Hafnium Oxide Memory with Improvements of Resistive Distribution and Read Disturb Immunity

著者 (16件)： CHEN Y. S. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Y. S. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LEE H. Y. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LEE H. Y. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN P. S. (MingShin Univ. Sci. & Technol., Hsinchu, TWN) ,  GU P. Y. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN C. W. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LIN W. P. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LIU W. H. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  HSU Y. Y. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  SHEU S. S. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHIANG P. C. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN W. S. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  CHEN F. T. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LIEN C. H. (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  TSAI M.-J. (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2009  ページ： 95-98  発行年： 2009年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 30×30nm²の素子サイズで,優れた特性とスケーラビリティをもつHfO_x抵抗変化型メモリを開発した。1Kbの1トランジスタ,1抵抗のメモリアレイの歩留りは約100%と高く,40nsのパルス幅によるサイクリング耐久性は10⁶以上であった。HfO_x膜は欠陥が多いので,記憶素子の高抵抗値と低抵抗値の分布は広かったが,二つの効果的な検証方法を提案し,両抵抗値の変動を抑制した。メモリアレイの全素子のオン・オフ比は,10以上であった。HfO_x膜の下の薄いAlO_x層により,このメモリの読取擾乱耐性が改善され,優れたプログラム・消去擾乱耐性が得られた。

シソーラス用語： 分布 ,  データ読取 ,  耐性 ,  スケーラビリティ【計算機】 ,  酸化ハフニウム ,  *RAM【メモリ】 ,  不揮発性メモリ ,  記憶特性
準シソーラス用語： *ReRAM ,  擾乱耐性 ,  抵抗分布

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分布 ,  読取 ,  擾乱 ,  耐性 ,  スケーラビリティ ,  酸化ハフニウム