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J-GLOBAL ID：201002276115938647   整理番号：10A0107728

BiドープMg₂Si_0.8Sn_0.2化合物の合成および熱電特性

Preparation and Thermoelectric Properties of Bi-Doped Mg₂Si_0.8Sn_0.2 Compound

著者 (6件)： LUO Weijun (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol.) ,  YANG Meijun (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol.) ,  CHEN Fei (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol.) ,  SHEN Qiang (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol.) ,  JIANG Hongyi (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol.) ,  ZHANG Lianmeng (State Key Lab. of Advanced Technol. for Materials Synthesis and Processing, Wuhan Univ. of Technol.)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 51  号： 2  ページ： 288-291 (J-STAGE)  発行年： 2010年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BiドープMg₂Si_0.8Sn_0.2単一相化合物を固相反応(SSR)-放電プラズマ焼結(SPS)法により合成した。BiドープMg₂Si_0.8Sn_0.2化合物の熱電特性に及ぼすBi含量の効果を主に調べた。その結果,得られた試料の熱電特性は,Bi含量に敏感であることが分かった。Bi含量が増すにつれ,試料の電気伝導率(σ)およびSeebeck係数(α)は増加し,一方,熱伝導率(κ)は300Kおよび850Kの間では僅かに低下した。Bi含量が3.0at%より大きい場合,試料は,850Kで最大の性能指数(ZT)値(1.17±0.05)を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *マグネシウム合金 ,  ケイ素含有合金 ,  スズ含有合金 ,  ビスマス添加合金 ,  *ドーピング ,  *固相反応 ,  *放電焼結 ,  プラズマ応用 ,  化学合成 ,  熱電効果 ,  *熱電材料 ,  マグネシウム ,  ケイ素 ,  スズ ,  ビスマス ,  金属粉末 ,  *電気伝導率 ,  輸送係数 ,  熱伝導率 ,  *性能指数 ,  焼結合金 ,  *放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： *Seebeck係数 ,  SPS法

分類 (2件)： 圧粉,焼結  (WC02030X) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

引用文献 (14件)：

• ZAITSEV, V. K. Proc. 24th Int. Conf. on Thermoelectrics, 2005. 2005, 18-24
• ZAITSEV, V. K. Phys. Rev. B. 2006, 74, 045207-045211
• FEDOROV, M. I. Proc. 25th Int. Conf. on Thermoelectrics, 2006. 2006, 111-114
• ISODA, Y. Proc. 25th Int. Conf. on Thermoelectrics, 2006. 2006, 406-410
• NIKITIN, E. N. Phys. Sol. State. 1961, 3, 2648-2651

タイトルに関連する用語 (3件)： Bi ,  ドープ ,  熱電特性