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J-GLOBAL ID：201002276196922170   整理番号：10A0902696

化合物半導体の異種集積

Heterogeneous Integration of Compound Semiconductors

著者 (2件)： MOUTANABBIR Oussama (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU) ,  GOESELE Ulrich (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle, DEU)
資料名： Annual Review of Materials Research  (Annual Review of Materials Research)
巻： 40  ページ： 469-500  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0856A  ISSN： 1531-7331  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化合物半導体を特製し,それらを異種基板上に集積できれば,エレクトロニクス,オプトエレクトロニクス,スピントロニクス,バイオセンシングおよび光起電素子などの分野で優秀な機能を開発できる。今回,この異種集積を達成する種々の方法について,特にイオンカットプロセスを中心に総説した,このプロセスは軽イオンの注入による欠陥加工を用いて半導体ウエハのボンディングとアンダカットを組み合わせる。直接エピタクシー成長では達成できないバルク品質ヘテロ構造も技術基準を満たしていれば作成できるので,異種の素子でも融通性を持って設計し作成できるようになる。イオンカッティングは種々の結晶から微細単結晶を分離し移動できる一般的技術である。支柱なしのGaN,InP,およびGaAsウエハからの薄層のへき開にこの技術を応用する際の材料及び技術的問題及び基礎となる物理現象の理解の現状を示した。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  *集積 ,  *劈開【結晶】 ,  イオン注入 ,  格子欠陥 ,  ウエハ【IC】 ,  窒化ガリウム ,  リン化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  レビュー
準シソーラス用語： *イオンカッティング

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 化合物半導体 ,  集積