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J-GLOBAL ID：201002276216141642   整理番号：10A0467857

MOCVDにより作製したZn_1-xMg_xO薄膜の構造および電気的,光学的性質に及ぼすMg含有比とBドーピングの効果

Effects of Mg content and B doping on structural, electrical and optical properties of Zn_1-x Mg _x O thin films prepared by MOCVD

著者 (4件)： LI C. (Solar Energy Inst., Dep. of Physics, Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai 200240, People’s Republic of China) ,  MENG F.y. (Solar Energy Inst., Dep. of Physics, Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai 200240, People’s Republic of China) ,  ZHANG S. (Solar Energy Inst., Dep. of Physics, Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai 200240, People’s Republic of China) ,  WANG J.q. (Solar Energy Inst., Dep. of Physics, Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai 200240, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 12-13  ページ： 1929-1934  発行年： 2010年06月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相堆積(MOCVD)によりZn_1-xMg_xO(ZMO)薄膜を(石英基板上に)作製した。種々の条件下で作製したZMO薄膜の構造と電気的・光学的性質を調べた。X線回折からZMOおよびZMO:B膜は六方晶ウルツ鉱型ZnO構造であり,(101)面が優先成長していることが分かった。Mg前駆体の流量を増やしていくとZMO膜の成長速度は次第に増大した。さらに,B₂H₆流量はZMO:B膜の格子面間隔と結晶粒サイズに影響した。Bドーピング濃度を変えることによりZMO:B膜の抵抗率を約10^-5Ωcmまで下げることができた。光学測定から,吸収端は青方偏移をし,可視光透過率は約90%であり,紫外光吸収率はほぼ100%であることが分かった。ZMO膜とZMO:B膜のバンドギャップエネルギーを,それぞれ3.32~3.74eVと3.58~3.88eVの範囲で調整することができた。このことは,これらの膜が紫外検出器の活性層や薄膜太陽電池の窓層として有望であることを示している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 酸化物 ,  *亜鉛化合物 ,  マグネシウム化合物 ,  化合物半導体 ,  ホウ素 ,  ドーパント ,  濃度依存性 ,  *薄膜成長 ,  MOCVD ,  成長速度 ,  結晶度 ,  *電気抵抗率 ,  キャリア移動度 ,  透過率 ,  吸収係数 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： 組成依存性

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOCVD ,  作製 ,  薄膜 ,  光学的性質 ,  Mg ,  含有比 ,  ドーピング