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J-GLOBAL ID：201002276277576943   整理番号：10A0580780

先端的銅配線の自己整列キャッピング中のパラジウムと合金化コバルトの不均質核形成と成長

Inhomogeneous nucleation and growth of palladium and alloyed cobalt during self-aligned capping of advanced copper interconnects

著者 (7件)： OLIVIER Segolene (CEA, LETI, Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  DECORPS Tifenn (STMicoelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles Cedex, FRA) ,  CALVO-MUNOZ Maria-luisa (Freescale Semiconductors, Crolles 2 Alliance, 870 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, FRA) ,  DA SILVA Sandrine (Semitool Inc. 655 W. Reserve Drive, Kalispell, MT 59901, USA) ,  CAYRON Cyril (CEA, LITEN, Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  HAUMESSER Paul-henri (CEA, LETI, Minatec, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, FRA) ,  PASSEMARD Gerard (STMicoelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles Cedex, FRA)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 518  号： 17  ページ： 4773-4778  発行年： 2010年06月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅配線を被包するのに用いる二つのコバルト合金(CoWBおよびPd-CoWP)の核形成と成長を研究した。非常に一様な堆積が300mmウエハにわたって,正確な厚さ制御をして得られることを立証した。しかしながら,大きな局所的厚さ変動が観察され,これはおそらく連続した薄い堆積との折衷の結果である。この現象の原因を初めて電子後方散乱回折により研究した。密度の高いPd核形成の面積と多結晶銅(111)表面結晶粒との相関が立証された。コバルト合金と下の銅基板間のエピタクシー関係がTEMによる特性評価で明らかになった。局所核形成密度は従って基板配位に影響され,成長後の厚さ不均一性を説明するものである。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： キャップ ,  パラジウム ,  *コバルト合金 ,  不均一性 ,  *核形成 ,  エピタクシー ,  透過型電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  顕微鏡観察 ,  プラズマCVD ,  *相互接続 ,  *銅 ,  自己整合 ,  *半導体プロセス ,  タングステン含有合金 ,  リン含有合金
準シソーラス用語： *ダマシン ,  電子後方散乱回折

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 銅配線 ,  自己整列 ,  キャッピング ,  パラジウム ,  合金化 ,  コバルト ,  成長