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J-GLOBAL ID：201002276391943123   整理番号：10A1539552

近赤外の高分子半導体レーザ

Near-infrared polymer semiconductor laser

著者 (2件)： KOBAYASHI Takeyuki (School of Physical Sciences, Dublin City Univ., Glasnevin, Dublin 9, Ireland) ,  HOGAN Robin (School of Chemical Sciences, Dublin City Univ., Glasnevin, Dublin 9, Ireland)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 14  ページ： 143303  発行年： 2010年10月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分子半導体からの近赤外レーザ放射を示した。直径50μmの石英ファイバの表面に発光性の自己組織化高分子層を用いて円筒共振器を形成させた。高分子利得層は,電子輸送物質と近赤外発光分子をドープさせたポリ(9-ビニルカルバゾール)から成る。ミクロ空洞は,532nmのパルス光励起で825nmのささやき画廊モードのレーザ発振を示した。吸収と刺激発光の断面積スペクトルをベースにしたしきい値解析から,しきい値最小が824nm付近にあることを見出した。これは,実験的に観察された825nmのレーザ放射と矛盾しなかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *高分子半導体 ,  半導体レーザ ,  *近赤外線 ,  自己組織化 ,  高分子薄膜 ,  *レーザ発振 ,  閾値 ,  レーザ励起

分類 (1件)： 固体レーザ  (BD04080W)

物質索引 (1件)： 9-ビニルカルバゾール

タイトルに関連する用語 (3件)： 近赤外 ,  高分子半導体 ,  レーザ