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J-GLOBAL ID：201002276398631097   整理番号：10A1134970

高周波応用のための低抵抗高ダイナミックレンジ再構成可能相変化スイッチ

Low resistance, high dynamic range reconfigurable phase change switch for radio frequency applications

著者 (7件)： CHUA E. K. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  SHI L. P. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  ZHAO R. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  LIM K. G. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  CHONG T. C. (Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), DSI Building, 5 Engineering Drive 1, Singapore 117608) ,  SCHLESINGER T. E. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Carnegie Mellon Univ., 5000 Forbes Avenue, Pittsburgh, Pennsylvania ...) ,  BAIN J. A. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Carnegie Mellon Univ., 5000 Forbes Avenue, Pittsburgh, Pennsylvania ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 18  ページ： 183506  発行年： 2010年11月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波応用のためのGeTe再構成可能相変化スイッチを述べた。低オン状態抵抗(180Ω)及び大きなダイナミックレンジ(7×10³)を,低抵抗電極設計及び高電流を通して達成した。部分結晶化及び部分非晶質化モデルを,を提案して,測定と計算素子オン(セット)及びオフ(リセット)状態抵抗,それぞれとの間の差を説明した。オン状態抵抗とリセット電流との間の依存性を,定常状態における一次熱設計を用いて推定した。これは,低融解温度の材料及び良好な熱絶縁をもつ構造の選択による,低いリセット電流を示唆した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スイッチ ,  ゲルマニウム化合物 ,  テルル化物 ,  *電気抵抗 ,  *アモルファス化 ,  結晶化
準シソーラス用語： *相変化スイッチ ,  *テルル化ゲルマニウム ,  *再構成可能性 ,  非晶質化

分類 (3件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高周波 ,  応用 ,  低抵抗 ,  高ダイナミックレンジ ,  再構成可能 ,  相変化