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J-GLOBAL ID：201002276492508363   整理番号：10A0459730

光場による量子ドット状態の同調

Tuning quantum dot states with optical fields

著者 (5件)： SOLOMON Glenn S. (Joint Quantum Inst. National Inst. Standards & Technol., and Univ. Maryland, Gaithersburg, USA) ,  SOLOMON Glenn S. (National Inst. Standards & Technol., Gaithersburg, USA) ,  MULLER Andreas (Joint Quantum Inst. National Inst. Standards & Technol., and Univ. Maryland, Gaithersburg, USA) ,  LAWALL John (National Inst. Standards & Technol., Gaithersburg, USA) ,  FANG Wei (Joint Quantum Inst. National Inst. Standards & Technol., and Univ. Maryland, Gaithersburg, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7608  ページ： 76080L.1-76080L.7  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体量子井戸中での三次元閉じ込めに由来する離散的な状態は,バルクバンド起源の多くの特性を保持している。それに加えて,これらは,離散的な原子様の単一粒子状態の多くの特徴も有している。しかし,半導体量子ドットの大きさと形状の変動のため,大きい不均一広がりが生じる。ポンプレーザと制御レーザを用いて,InAs/GaAs量子ドット状態のエネルギーを細かく変化させる方法を示した。この方法を用いて,離散的なもつれ合った光子対を形成する励起子分子-励起子減衰における縮退を確立でき,異なる量子ドットの間の識別不可能性を確立できる。

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  MBE成長 ,  *量子ドット ,  低次元系 ,  *励起子分子 ,  光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル ,  Rabi特性周波数 ,  重合せ ,  シミュレーション ,  微小共振器 ,  量子もつれ
準シソーラス用語： 量子もつれ合い

分類 (1件)： 量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 光場 ,  量子ドット ,  同調